崗位職責：

1. 負責IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片設計與開發(fā)工作，含工藝仿真、結(jié)構(gòu)設計、版圖繪制，工藝流程制定，檢測程序制定；

2. 負責解決芯片設計與開發(fā)過程中的關鍵設計、仿真、工藝等技術(shù)問題，進行芯片性能分析及優(yōu)化，確保研發(fā)項目的順利進行；

3. 根據(jù)需求進行產(chǎn)品變更與維護，實驗數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析；

4. 新材料，新器件，新產(chǎn)品技術(shù)情報收集與分析.

學歷要求：

1.碩士及以上，物理學，微電子，電子工程，電氣工程，自動化等相關專業(yè)；

能力要求：

1. 5年以上相關工作經(jīng)驗，具有功率器件從設計到量產(chǎn)的完整經(jīng)驗優(yōu)先；

2. 精通IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率器件原理；

3. 熟悉IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率器件工藝；

4. 熟悉常見電力電子拓撲；熟悉常見功率器件封裝；

5. 熟練使用Sentaurus TCAD或Silvaco TCAD等工具。